三星電子:計劃未來10年投資1160億美元研發非內存芯片
時間:2025-12-12 05:38:28 來源:桑間濮上網 作者:休閑 閱讀:316次
導讀:三星電子計劃在未來10年左右投資133萬億韓元(1160億美元),星電芯片以取代英特爾和高通在制造先進芯片處理器(非內存芯片研發和生產基礎設施)方面在全球的計劃領先地位,加快對全球半導體行業的未年濟南市中大圈的外圍聯系方式vx《749-3814》提供外圍女上門服務快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達控制。

4月25日,投資據彭博社消息,億美元研三星電子計劃在未來10年左右投資133萬億韓元(1160億美元),發非以取代英特爾和高通在制造先進芯片處理器(非內存芯片研發和生產基礎設施)方面在全球的內存領先地位,加快對全球半導體行業的星電芯片控制。三星目前在從服務器到智能手機的計劃濟南市中大圈的外圍聯系方式vx《749-3814》提供外圍女上門服務快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達存儲芯片市場處于領先地位,它計劃在2030年前加大對半導體的未年投資,創造15000個生產和研究工作崗位。投資
今年3月,億美元研三星公布第三季度的發非營業利潤下降了60%。這至少部分與DRAM和NAND內存的內存價格暴跌以及智能手機銷量的下滑有關。因此三星準備投入巨資1160億美元,星電芯片以確保其為下一代芯片的發展做好準備,其中國內研發投入約640億美元,生產基礎設施投入520億美元。三星在一份聲明中說:“這項投資計劃有望幫助三星在2030年實現邏輯芯片領域成為世界領先者的目標。”

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